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间接带隙和直接带隙的区别

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定义不同，特点不同。
1、定义不同：直接带隙半导体材料中，价带顶和导带底位于布里渊区中同一点，电子在价带被激发到导带后，其动量保持不变，而间接带隙半导体材料中，价带顶和导带底位于布里渊区中不同点，电子在价带被激发到导带后，其动量必须改变。
2、特点不同：直接带隙材料具有高吸收率和高放电效率，并适合于光电子设备的使用，而间接带隙材料的光吸收和发射都是通过缺陷和声子促进的非辐射跃迁实现的，这类缺陷会降低材料的光学效率。
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