负温度系数：齐纳击穿具有负温度系数，即当温度升高时，击穿电压下降。这是因为温度升高导致电子热运动加剧，较小的反向电压就能把价电子从共价键中拉出来。发生条件：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结上，并且在外加电压较低时就会出现这种击穿。三、共同点与区别 共同点：雪崩击穿和齐纳击穿都是PN结在反向电压作用下的击

电压范围：电压高于5-6V时以雪崩击穿为主；电压低于5-6V时以齐纳击穿为主。温度影响：齐纳击穿具有负的温度系数，而雪崩击穿受温度影响相对较小（但并非完全不受影响）。以下是两种击穿机制的示意图：这些图片展示了电子雪崩现象以及雪崩击穿和齐纳击穿在不同电压下的主导地位。

齐纳击穿和雪崩击穿是不同的机理，前者是负温度系数，后者是正温度系数。齐纳击穿是在重掺杂情况下，击穿电压随温度升高而降低，因为温度升高，能隙减小，因而在较高的温度下，加较小的反向电压就能达到给定的击穿电流。

3. 对于稳压管而言，区分这两种击穿的重要性在于：电压较低（低于5至6伏特）时，以齐纳击穿为主，其稳压值与温度的关系表现为负温度系数。4. 电压较高（高于5至6伏特）时，雪崩击穿占主导，此时稳压管的温度系数为正。5. 当电压介于5至6伏特之间时，两种击穿现象程度相当，这使得相关电路的温度稳定...

雪崩击穿：雪崩击穿的稳压特性通常表现为正温度系数，即随着温度的升高，击穿电压也会有所上升。齐纳击穿：齐纳击穿的稳压特性则表现为负温度系数，即随着温度的升高，击穿电压会下降。这种特性使得齐纳击穿在低温下更为稳定。综上所述，雪崩击穿和齐纳击穿在物理过程、发生条件、电压范围以及温度系数等方面都...

实际上，PN结的反向击穿通常表现为齐纳击穿和雪崩击穿的双重作用。在较低电压（5-6V以下）时，齐纳击穿占据主导，其稳压特性表现为负温度系数；而随着电压升高，雪崩击穿成为主要击穿方式，此时稳压管的温度系数则变为正值。稳压管中的应用与选择 在稳压管设计中，这些差异至关重要。选择适当的稳压管，需...

它通常是暂时性且可恢复的。相比之下，热击穿是一种破坏性的现象，一旦发生，就不可逆转。雪崩击穿具有正温度系数，而齐纳击穿则具有负温度系数。利用这一特性可以有效减小温度漂移。在实际应用中，对雪崩击穿的理解和应用是现代电子技术中的关键组成部分，对于提高电子设备的稳定性和可靠性具有重要意义。

雪崩击穿的特点是击穿电压随温度的升高而略有增加，且具有负的温度系数。其次，齐纳击穿主要发生在高掺杂浓度的半导体材料或窄带隙半导体中。在反向偏压下，由于掺杂浓度高或带隙窄，使得隧道效应显著。隧道效应是指电子在强电场作用下，直接从价带隧穿到导带，产生大量电子-空穴对。这些载流子的产生不依赖...

齐纳击穿发生在高掺杂浓度的PN结中，当反向电压增大时，强电场直接产生大量电子-空穴对，使反向电流激增。这种击穿通常在温度较高时，击穿电压下降，即齐纳击穿具有负的温度系数。雪崩击穿和齐纳击穿的区别在于，通常在电压低于5-6V时以齐纳击穿为主，在电压高于此值时以雪崩击穿为主。在5-6V之间的稳压管...

雪崩击穿：在电压高于56V时更常见，稳压管的温度系数为正。齐纳击穿：在电压低于56V时占主导地位，稳压值的温度系数为负。在56V电压区间内，两种击穿效应接近，温度系数最佳。应用场景：齐纳击穿：适用于电压较低的场合，如低压稳压管。雪崩击穿：在电压较高的情况下更为适用，如高压保护电路中的TVS稳压...