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专利名称：半导体器件专利类型：实用新型专利发明人：不公告发明人申请号：CN201821545377.5申请日：20180920公开号：CN2023087U公开日：20190531
摘要：本实用新型提供一种半导体器件，其半导体衬底中形成有U型鳍片，所述U型鳍片具有沿第二方向延伸的水平鳍片部以及竖直设置在所述水平鳍片部的两端上的竖直鳍片部，所述U型鳍片的两个所述竖直鳍片部之间界定出沿第一方向延伸的第一沟槽，所述水平鳍片部中形成有第二源/漏区，所述竖直鳍片部的顶端部中形成有第一源/漏区；所述竖直鳍片部的侧壁上环绕有栅极，由此可以基于一个U型鳍片形成两个环栅晶体管，有利于增加栅极对沟道的控制力以及有效沟道长度，克服短沟道效应，进而有利于更小的特征尺寸和更高的集成度。
申请人：长鑫存储技术有限公司
地址：230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
国籍：CN
代理机构：上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人：智云
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