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专利名称：使氢化非晶硅和非晶氢化硅合金稳定化的方法专利类型：发明专利
发明人：B·海克麦特朔-塔巴里,M·霍普斯塔肯,朴大奎,D·K·萨
达那,G·G·沙希迪,D·沙赫莉亚迪
申请号：CN201280035916.X申请日：20120312公开号：CN103718276A公开日：20140409
摘要：形成光伏器件的半导体材料的方法包括：提供含氢化非晶硅的材料的表面，和将含氢化非晶硅的材料在含氘气氛中退火。将来自含氘气氛的氘穿过含氢化非晶硅的材料的表面引入含氢化非晶硅的材料的晶格中。在一些实施方案中，引入含氢化非晶硅的材料的晶格中的氘提高含氢化非晶硅的材料的稳定性。
申请人：国际商业机器公司
地址：美国纽约
国籍：US
代理机构：北京市中咨律师事务所
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