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专利名称：碲锌镉晶体生长方法以及装置专利类型：发明专利
发明人：严冰,刘伟华,张传杰,余志杰,王博博申请号：CN202011486859.X申请日：20201216公开号：CN1127133A公开日：20210413
摘要：本发明涉及一种碲锌镉晶体生长方法，包括如下步骤：S1，选用由上至下依次分布有材料补充区域、引晶区域以及生长区域的第一安瓿，并将碲锌镉多晶料装入至所述安瓿的材料补充区域中；S2，将装好了所述碲锌镉多晶料后的安瓿封装在第二安瓿中；S3，封装好后进行凝固工艺，使所述碲锌镉多晶料填满所述引晶区域以及所述生长区域；S4，接着将所述第一安瓿从所述第二安瓿中取出，并将所述第一安瓿放入到第三安瓿中进行封装，所述第三安瓿中设有金属镉。还提供一种碲锌镉晶体生长装置。本发明的生长方法采用垂直梯度法自上而下完成碲锌镉晶体生长，在生长过程中能够有效控制碲锌镉固液界面处镉分压，从而减少微沉淀相产生。
申请人：武汉高芯科技有限公司
地址：430205 湖北省武汉市东湖开发区黄龙山南路6号2号楼
国籍：CN
代理机构：北京汇泽知识产权代理有限公司
代理人：胡建文
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