（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN202010104556.0 （22）申请日 2020.02.20
（71）申请人 全球能源互联网研究院有限公司;国网浙江省电力有限公司;国家电网有限公司
地址 102209 北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
（10）申请公布号 CN111293040A
（43）申请公布日 2020.06.16
（72）发明人 桑玲;吴鹏飞;赛朝阳;王耀华;金锐;查祎英;杨霏;夏经华;姜春艳;吴军民 （74）专利代理机构 北京三聚阳光知识产权代理有限公司
代理人 李静
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
一种n型掺杂离子注入准确度的提升方法
（57）摘要
本发明公开了一种n型掺杂离子注入准确
度的提升方法。本发明包括：根据目标值采用TRIM仿真继而确定n型掺杂离子的注入能量和剂量的仿真值；根据仿真值对碳化硅外延层进行离子注入；对注入后的碳化硅外延层进行SIMS检测获得实际注入值，比较实际注入值与目标值之间的偏差；根据偏差对仿真值进行校准，根据校准后的仿真值再次进行离子注入；重复上述对仿真值进行校准的步骤，确定最终离子注入能量和剂
量以获得最接近目标值的实际注入值。本发明记载了相应的缩小离子注入目标值与实际注入值之间偏差的方法，通过多次对注入碳化硅外延层的n型掺杂离子的仿真值进行校准，进而使碳化硅器件的离子注入的实际注入值与目标值更加接近，以加快器件的研制。
法律状态
法律状态公告日
2020-06-16 2020-06-16 2020-07-10
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效
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权利要求说明书
一种n型掺杂离子注入准确度的提升方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
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