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专利名称：一种纳米SnO修饰锂离子电池三元正极材料及其制
备方法
专利类型：发明专利
发明人：刘慧勇,罗智妹,孙艳光申请号：CN2013103784.7申请日：20130902公开号：CN103441249A公开日：20131211
摘要：本发明公开了一种纳米SnO修饰锂离子电池三元正极材料及其制备方法，所述的三元正极材料的化学式为LiNiCoMnO，其中0.9≤a≤1.2，x+y+z=1；纳米SnO的颗粒尺寸为5nm-100nm；纳米SnO与三元正极材料的质量比为0.01-0.08：选用纳米碳作为载体，将纳米SnO的颗粒生长过程和修饰过程分开进行。本发明能够精确地控制修饰物的含量，提高材料的重复性和一致性；制得的纳米SnO修饰锂离子电池三元正极材料具有更高的容量、倍率性能以及循环性能。
申请人：福州大学
地址：350108 福建省福州市闽侯县上街镇大学城学园路2号福州大学新区
国籍：CN
代理机构：福州元创专利商标代理有限公司
代理人：蔡学俊
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