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专利名称：一种电荷载流子倍增寄存器的抗光晕结构专利类型：发明专利
发明人：刘庆飞,胡明芬,邹继鑫,沈吉,张跃玲申请号：CN201410287032.4申请日：20140625公开号：CN104037186A公开日：20140910
摘要：本发明公开了一种电荷载流子倍增寄存器的抗光晕结构，在此结构中抗光晕通道是通过电极2连接到溢出通道。CCM正常工作时输入信号电荷载流子转移过程中实现倍增，当输入信号过大时经过CCM发生信号电荷载流子倍增，会生成过量信号电荷载流子，多余的信号电荷载流子溢出通过抗光晕通道收集到溢出通道，通过溢出通道转化成电流释放，从而抑制了光晕现象，这种抗光晕结构能够保证CCM实现信号电荷载流子接近零噪声的电荷放大倍增的基础上，又大大提升了采用CCM结构的图像传感器的探测灵敏度。
申请人：中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
地址：215163 江苏省苏州市高新区龙山路号
国籍：CN
代理机构：南京纵横知识产权代理有限公司
代理人：董建林
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