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专利名称：一种单分散硫化锑量子点的制备方法专利类型：发明专利
发明人：闫雪莲,孟祥,胡荣,李璐,程江申请号：CN201710841943.0申请日：20170918公开号：CN107758740A公开日：20180306
摘要：本发明属于化合物半导体纳米材料制备技术领域，涉及一种单分散硫化锑量子点的制备方法，合成路线是按照以下方式进行的：硫代乙酰胺和乙酸锑分别溶于一种有机溶剂，先加热硫代乙酰胺溶液，然后快速加入乙酸锑溶液并快速冷却，通过上述两者快速反应合成获得硫化锑量子点并密封保存，制备的单分散硫化锑量子点分散性好，能在常见溶剂例如去离子水、乙醇、乙二醇甲醚、二氯甲烷等溶剂中形成较稳定的分散液，因此该硫化锑量子点可与低成本的喷墨打印、旋涂、喷涂等技术兼容，实现器件化应用。
申请人：重庆文理学院
地址：402160 重庆市铜梁县红河大道319号
国籍：CN
代理机构：北京挺立专利事务所(普通合伙)
代理人：李鑫
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