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专利名称：应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法专利类型：发明专利
发明人：尹海洲,骆志炯,朱慧珑申请号：CN201010527238.1申请日：20101029公开号：CN102456576A公开日：20120516
摘要：一种应力隔离沟槽半导体器件及其形成方法，所述形成方法包括：提供硅基底；在所述硅基底上形成第一沟槽和第二沟槽，所述第二沟槽的延伸方向与所述第一沟槽的延伸方向垂直；在所述第一沟槽中形成第一介质层，所述第一介质层为张应力介质层；在所述第二沟槽中形成第二介质层；在所述第一沟槽和第二沟槽包围的硅基底上形成栅堆叠，所述栅堆叠下方的沟道长度的方向平行于所述第一沟槽的延伸方向，其中，所述硅基底的晶面指数为(100)，所述第一沟槽的延伸方向沿晶向(110)。本发明提高了器件的响应速度，改善了器件性能。
申请人：中国科学院微电子研究所
地址：100029 北京市朝阳区北土城西路3号
国籍：CN
代理机构：北京集佳知识产权代理有限公司
代理人：骆苏华
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