电子技术基础练习题
一、 填空题：(每空1分，共5分)
1. P型半导体的多数载流子是 。 2. 硅管导通电压是 。
3. 单相桥式整流电路接电容滤波后负载输出电压Vo= V2。
4. 在下图所示电路中，已知晶体管的β＝80，rbe＝1kΩ，ui＝20mV；静态时UBEQ
＝0.7V，UCEQ＝4V，IBQ＝20μA，则电压放大倍数等于 。
5. 射随器的电压放大倍数为 。 二、 选择题：（每小题1分，共5分）
1. 某只硅稳压管的稳定电压Uz = 4v，其两端施加的电压分别为+5v（正向偏置）
和－5v（反向偏置）时，稳压管两端的最终电压分别为（ ） A +5v和-5v B -5v和+4v C +4v和-0.7v D +0.7v和-4v
2. 万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（ ）。
A、已经击穿； B、完好状态； C、内部老化不通； D、无法判断 3. 若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ ）
A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏； C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。 4. 在单相桥式整流电路中，若有一只整流管接反，则（ ）。
A、 输出电压约为2Uo B、变为半波直流 C、 整流管将因电流过大而烧坏 D、输出电压等于零
5. 测得某放大电路中晶体管的三个管脚1，2，3 的电位分别为2V，6V 和2.7V，
则该晶体管为（ ）。
A、NPN 型硅管 B、NPN 型锗管 C、 PNP 型硅管 D、 PNP 型锗管